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IRLR7811WCPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR7811WCPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR7811WCPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR7811WCPbF.pdf
vorrätig: 4940

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Spezifikation

IRLR7811WCPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR7811WCPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR7811WCPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR7811WCPBF.

Produkteigenschaften IRLR7811WCPBF IRLR7821PBF IRLR7821TRLPBF IRLR7811WPBF
Artikelnummer IRLR7811WCPBF IRLR7821PBF IRLR7821TRLPBF IRLR7811WPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 65A (Tc) 65A (Tc) 64A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2260 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V 2260 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 31 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±12V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 71W (Tc) 75W (Tc) 75W (Tc) 71W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 10mOhm @ 15A, 10V 10.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRLR7811WCPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR7811WCPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR7811WCPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
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Datenblätter
IRLR7811WCPbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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