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IRLR7833PBF Image
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IRLR7833PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR7833PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR7833PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR7833PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

IRLR7833PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR7833PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR7833PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR7833PBF.

Produkteigenschaften IRLR7833PBF IRLR7833 IRLR7843TR IRLR7843PBF
Artikelnummer IRLR7833PBF IRLR7833 IRLR7843TR IRLR7843PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4010 pF @ 15 V 4010 pF @ 15 V 4380 pF @ 15 V 4380 pF @ 15 V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 140A (Tc) 161A (Tc) 161A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V

IRLR7833PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR7833PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR7833PBF - Infineon Technologies herunter.

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