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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR8103
IRLR8103 Image
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IRLR8103 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR8103
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR8103
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR8103/8503.pdf
vorrätig: 4590

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Anzahl

Spezifikation

IRLR8103 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR8103 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR8103

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 89W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 89A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR8103.

Produkteigenschaften IRLR8103 IRLR7843TRPBF IRLR7843TRLPBF IRLR8103VTRRPBF
Artikelnummer IRLR8103 IRLR7843TRPBF IRLR7843TRLPBF IRLR8103VTRRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 89A (Ta) 161A (Tc) 161A (Tc) 91A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V 50 nC @ 4.5 V 50 nC @ 4.5 V 27 nC @ 5 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 89W (Ta) 140W (Tc) 140W (Tc) 115W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRLR8103 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR8103 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR8103 - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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