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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRLR8113
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IRLR8113 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR8113
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR8113
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR8113, IRLU8113.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 4080

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Spezifikation

IRLR8113 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR8113 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR8113

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2920 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 94A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status RoHS nicht konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR8113.

Produkteigenschaften IRLR8113 IRLR8113TRPBF IRLR8113TR IRLR8103VPBF
Artikelnummer IRLR8113 IRLR8113TRPBF IRLR8113TR IRLR8103VPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 9mOhm @ 15A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2920 pF @ 15 V 2920 pF @ 15 V 2920 pF @ 15 V 2672 pF @ 16 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Verlustleistung (max) 89W (Tc) 89W (Tc) 89W (Tc) 115W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 2.25V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V 32 nC @ 4.5 V 32 nC @ 4.5 V 27 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 94A (Tc) 94A (Tc) 94A (Tc) 91A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

IRLR8113 Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR8113 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR8113 - Infineon Technologies herunter.

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IRLR8113, IRLU8113.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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