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IRLR9343TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRLR9343TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRLR9343TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRLR9343TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85920

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Spezifikation

IRLR9343TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRLR9343TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRLR9343TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 79W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IRLR9343  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRLR9343TRPBF.

Produkteigenschaften IRLR9343TRPBF IRLR8743PBF IRLR8729TRLPBF IRLR9343PBF
Artikelnummer IRLR9343TRPBF IRLR8743PBF IRLR8729TRLPBF IRLR9343PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.35V @ 100µA 2.35V @ 25µA 1V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 79W (Tc) 135W (Tc) 55W (Tc) 79W (Tc)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 30 V 30 V 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V 59 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 47 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 160A (Tc) 58A (Tc) 20A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 D-Pak D-Pak D-Pak
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 50 V 4880 pF @ 15 V 1350 pF @ 15 V 660 pF @ 50 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IRLR9343 - IRLR8729 -

IRLR9343TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRLR9343TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRLR9343TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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