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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2110PBF
IRS2110PBF Image
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IRS2110PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2110PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2110PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
14-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 15807

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Anzahl

Spezifikation

IRS2110PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2110PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2110PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2.5A, 2.5A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS2110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2110PBF.

Produkteigenschaften IRS2110PBF IRS2109STRPBF IRS21091STRPBF IRS2112PBF
Artikelnummer IRS2110PBF IRS2109STRPBF IRS21091STRPBF IRS2112PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Grundproduktnummer IRS2110 IRS2109 IRS21091 IRS2112
Serie - - - -
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Ladestrom Independent Synchronous Synchronous Independent
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2.5A, 2.5A 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 100ns, 35ns 100ns, 35ns 75ns, 35ns
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 6V, 9.5V
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Supplier Device-Gehäuse 14-DIP 8-SOIC 8-SOIC 14-DIP
Verpackung / Gehäuse 14-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 600 V 600 V 600 V

IRS2110PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2110PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2110PBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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