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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS21851SPBF
IRS21851SPBF Image
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IRS21851SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS21851SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS21851SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRS21851SPBF.pdf
vorrätig: 6880

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Spezifikation

IRS21851SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS21851SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS21851SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 15ns, 15ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4A, 4A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IRS21851  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS21851SPBF.

Produkteigenschaften IRS21851SPBF IRS21850SPBF IRS21850STRPBF IRS2184PBF
Artikelnummer IRS21851SPBF IRS21850SPBF IRS21850STRPBF IRS2184PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 15ns, 15ns 15ns, 15ns 15ns, 15ns 40ns, 20ns
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 4A, 4A 4A, 4A 4A, 4A 1.9A, 2.3A
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Ladestrom Single Single Single Synchronous
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Anzahl der Treiber 1 1 1 2
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Grundproduktnummer IRS21851 IRS21850 IRS21850 IRS2184
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side High-Side Half-Bridge

IRS21851SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS21851SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS21851SPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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