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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS21953SPBF
IRS21953SPBF Image
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IRS21953SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS21953SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS21953SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
IRS21953SPBF.pdf
vorrätig: 5370

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Anzahl

Spezifikation

IRS21953SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS21953SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS21953SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 25ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.6V, 3.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge, Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 500mA, 500mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS21953  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS21953SPBF.

Produkteigenschaften IRS21953SPBF IRS2186STRPBF IRS21956SPBF IRS2186PBF
Artikelnummer IRS21953SPBF IRS2186STRPBF IRS21956SPBF IRS2186PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Anzahl der Treiber 3 2 2 2
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge, Low-Side High-Side or Low-Side Half-Bridge High-Side or Low-Side
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 500mA, 500mA 4A, 4A 500mA, 500mA 4A, 4A
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Logikspannung - VIL, VIH 0.6V, 3.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 3.5V 0.8V, 2.5V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 25ns 22ns, 18ns 25ns, 15ns 22ns, 18ns
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 8-SOIC 20-SOIC 8-PDIP
Gate-Typ N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Grundproduktnummer IRS21953 IRS2186 IRS21956 IRS2186

IRS21953SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS21953SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS21953SPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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