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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2308PBF
IRS2308PBF Image
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IRS2308PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2308PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2308PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
IRS2308(S)PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5774

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Anzahl

Spezifikation

IRS2308PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2308PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2308PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IRS2308  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2308PBF.

Produkteigenschaften IRS2308PBF IRS2304PBF IRS2308STRPBF IRS2330SPBF
Artikelnummer IRS2308PBF IRS2304PBF IRS2308STRPBF IRS2330SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRS2308 IRS2304 IRS2308 IRS2330
Serie - - - -
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 100ns, 35ns 70ns, 35ns 100ns, 35ns 80ns, 35ns
Ladestrom Independent Independent Independent 3-Phase
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 290mA, 600mA 250mA, 500mA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Anzahl der Treiber 2 2 2 6
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.7V, 2.3V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.2V
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-PDIP 8-SOIC 28-SOIC

IRS2308PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2308PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2308PBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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