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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIRS2332SPBF
IRS2332SPBF Image
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IRS2332SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRS2332SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRS2332SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
IRS2332SPBF.pdf
vorrätig: 13500

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Anzahl

Spezifikation

IRS2332SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRS2332SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRS2332SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 35ns  
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom 3-Phase  
Grundproduktnummer IRS2332  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRS2332SPBF.

Produkteigenschaften IRS2332SPBF IRS2334MPBF IRS23364DSTRPBF IRS2330STRPBF
Artikelnummer IRS2332SPBF IRS2334MPBF IRS23364DSTRPBF IRS2330STRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabetyp Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Ladestrom 3-Phase 3-Phase 3-Phase 3-Phase
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 28-SOIC 28-MLPQ (5x5) 28-SOIC 28-SOIC
Anzahl der Treiber 6 6 6 6
Verpackung / Gehäuse 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-VFQFN Exposed Pad 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V 10V ~ 20V
Serie - - - -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 35ns 125ns, 50ns 125ns, 50ns 80ns, 35ns
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 200mA, 350mA 200mA, 350mA 250mA, 500mA
Paket Tube Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.2V
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Grundproduktnummer IRS2332 IRS2334 IRS23364 IRS2330

IRS2332SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRS2332SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRS2332SPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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