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S79FL512SDSMFBG03 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer: S79FL512SDSMFBG03

Hersteller: Infineon Technologies

Allelco Artikelnummer: 32D-S79FL512SDSMFBG03

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC

detaillierte Beschreibung

Verpackung: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Datenblatt: ~~S79FL512SDSMFBG03.pdf~~

RoHS Status

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vorrätig: 3913

Spezifikation

S79FL512SDSMFBG03 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - S79FL512SDSMFBG03 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - S79FL512SDSMFBG03

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Infineon Technologies
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-
Spannungsversorgung	2.7V ~ 3.6V
Technologie	FLASH - NOR
Supplier Device-Gehäuse	16-SOIC
Serie	Automotive, AEC-Q100, FL-S
Verpackung / Gehäuse	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 105°C (TA)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Speichertyp	Non-Volatile
Speichergröße	512Mbit
Speicherorganisation	64M x 8
Speicherschnittstelle	SPI - Quad I/O
Speicherformat	FLASH
Uhrfrequenz	80 MHz
Grundproduktnummer	S79FL512

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies S79FL512SDSMFBG03.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	S79FL512SDSMFBG03	IS42S16160D-75ETLI	IS62C256AL-45TLI-TR	AT27LV520-90SC
Hersteller	Infineon Technologies	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Microchip Technology
Speichergröße	512Mbit	256Mbit	256Kbit	512Kbit
Paket	Tape & Reel (TR)	Tray	Tape & Reel (TR)	Tube
Betriebstemperatur	-40°C ~ 105°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	0°C ~ 70°C (TC)
Speicherorganisation	64M x 8	16M x 16	32K x 8	64K x 8
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Spannungsversorgung	2.7V ~ 3.6V	3V ~ 3.6V	4.5V ~ 5.5V	3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Speicherschnittstelle	SPI - Quad I/O	Parallel	Parallel	Parallel
Technologie	FLASH - NOR	SDRAM	SRAM - Asynchronous	EPROM - OTP
Uhrfrequenz	80 MHz	133 MHz	-	-
Verpackung / Gehäuse	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	54-TSOP (0.400', 10.16mm Width)	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	20-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Speichertyp	Non-Volatile	Volatile	Volatile	Non-Volatile
Speicherformat	FLASH	DRAM	SRAM	EPROM
Supplier Device-Gehäuse	16-SOIC	54-TSOP II	28-TSOP I	20-SOIC
Serie	Automotive, AEC-Q100, FL-S	-	-	-
Grundproduktnummer	S79FL512	IS42S16160	IS62C256	AT27LV520
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	-	-	45ns	-

S79FL512SDSMFBG03 Datenblatt PDF

Laden Sie S79FL512SDSMFBG03 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für S79FL512SDSMFBG03 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung: Ship Label REV.pdf Ship Label/Document Standardization 24/Jan/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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