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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteDioden-Gleichrichter-EinzelSDT10S30
Infineon Technologies
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SDT10S30 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SDT10S30
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SDT10S30
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE SIL CARB 300V 10A TO220-2
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-2
Datenblatt
SDP10S30, SDT10S30.pdf
vorrätig: 5070

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Spezifikation

SDT10S30 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SDT10S30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SDT10S30

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A  
Spannung - Sperr (Vr) (max) 300 V  
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2  
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie CoolSiC™+  
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse TO-220-2  
Paket Tube  
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C  
Befestigungsart Through Hole  
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 300 V  
Strom - Richt (Io) 10A  
Kapazität @ Vr, F 600pF @ 0V, 1MHz  
Grundproduktnummer SDT10S  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SDT10S30.

Produkteigenschaften SDT10S30 SDT12S60 SDT10A100P5-7 SDT10A45P5-13
Artikelnummer SDT10S30 SDT12S60 SDT10A100P5-7 SDT10A45P5-13
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Kapazität @ Vr, F 600pF @ 0V, 1MHz 450pF @ 1V, 1MHz - -
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Grundproduktnummer SDT10S SDT12S SDT10 SDT10
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A 1.7 V @ 12 A 680 mV @ 10 A 470 mV @ 10 A
Verpackung / Gehäuse TO-220-2 TO-220-2 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5
Strom - Richt (Io) 10A 12A 10A 10A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Strom - Sperrleckstrom @ Vr 200 µA @ 300 V 400 µA @ 600 V 100 µA @ 100 V 300 µA @ 45 V
Serie CoolSiC™+ CoolSiC™+ - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-2 PG-TO220-2-2 PowerDI™ 5 PowerDI™ 5
Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Spannung - Sperr (Vr) (max) 300 V 600 V 100 V 45 V
Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky Schottky Schottky
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns 0 ns - -

SDT10S30 Datenblatt PDF

Laden Sie SDT10S30 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SDT10S30 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
SDP10S30, SDT10S30.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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