Spezifikation
SI4435DYTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SI4435DYTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SI4435DYTRPBF
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Infineon Technologies |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
8-SO |
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| Serie |
HEXFET® |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
20mOhm @ 8A, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
2.5W (Ta) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|
| Paket |
Tape & Reel (TR) |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Befestigungsart |
Surface Mount |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2320 pF @ 15 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
60 nC @ 10 V |
|
| Typ FET |
P-Channel |
|
| FET-Merkmal |
- |
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| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
8A (Tc) |
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| Grundproduktnummer |
SI4435 |
|
Lieferung
Lieferzeit
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Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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