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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelSMBTA56E6327
Infineon Technologies
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SMBTA56E6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SMBTA56E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SMBTA56E6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SMBTA56E6327.pdf
RoHS Status
vorrätig: 794100

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Anzahl

Spezifikation

SMBTA56E6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SMBTA56E6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SMBTA56E6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie -  
Leistung - max 330 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SMBTA56E6327.

Produkteigenschaften SMBTA56E6327 SMBTA14E6327 SMBTA92E6327 SMBTA42E6327
Artikelnummer SMBTA56E6327 SMBTA14E6327 SMBTA92E6327 SMBTA42E6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Leistung - max 330 mW 330 mW 360 mW 360 mW
Frequenz - Übergang 100MHz 125MHz 50MHz 70MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 300 mA 500 mA 500 mA
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 30 V 300 V 300 V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 PG-SOT23-3-1 PG-SOT23-3-3 PG-SOT23-3-3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 100mA, 1V 20000 @ 100mA, 5V 40 @ 10mA, 10V 40 @ 30mA, 10V
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 1.5V @ 100µA, 100mA 500mV @ 2mA, 20mA 500mV @ 2mA, 20mA
Transistor-Typ PNP NPN - Darlington - -

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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