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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSN7002WH6327XTSA1
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SN7002WH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SN7002WH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SN7002WH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
SN7002WH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 390200

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Spezifikation

SN7002WH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SN7002WH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SN7002WH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 230mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230mA (Ta)  
Grundproduktnummer SN7002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SN7002WH6327XTSA1.

Produkteigenschaften SN7002WH6327XTSA1 SN7002NE6327 SN7002NH6327XTSA2 SN7002WL6327
Artikelnummer SN7002WH6327XTSA1 SN7002NE6327 SN7002NH6327XTSA2 SN7002WL6327
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 500mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT323 PG-SOT23-3-5 PG-SOT23 PG-SOT323-3-2
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V 45 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Ta) 230mA (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323
Grundproduktnummer SN7002 - SN7002 -
Serie SIPMOS® SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® SIPMOS®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 230mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 230mA, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA 1.8V @ 26µA

SN7002WH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie SN7002WH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SN7002WH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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