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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPA08N80C3XKSA1
SPA08N80C3XKSA1 Image
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SPA08N80C3XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPA08N80C3XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPA08N80C3XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
SPA08N80C3XKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25191

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Anzahl

Spezifikation

SPA08N80C3XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPA08N80C3XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPA08N80C3XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 470µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer SPA08N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPA08N80C3XKSA1.

Produkteigenschaften SPA08N80C3XKSA1 SPA08N50C3 SPA11N60C3 SPA07N60C2
Artikelnummer SPA08N80C3XKSA1 SPA08N50C3 SPA11N60C3 SPA07N60C2
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V 750 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 970 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-31
Grundproduktnummer SPA08N80 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 560 V 600 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5.1A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 380mOhm @ 7A, 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 32W (Tc) 33W (Tc) 32W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 470µA 3.9V @ 350µA 3.9V @ 500µA 5.5V @ 350µA
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 7.6A (Tc) 11A (Tc) 7.3A (Tc)

SPA08N80C3XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie SPA08N80C3XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPA08N80C3XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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