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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPA20N60C3
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

SPA20N60C3 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPA20N60C3
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPA20N60C3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
SPA20N60C3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

SPA20N60C3 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPA20N60C3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPA20N60C3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-111  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V  
Verlustleistung (max) 34.5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20.7A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPA20N60C3.

Produkteigenschaften SPA20N60C3 SPA20N60CFD SPA17N80C3 17N80C3 SPA2118Z
Artikelnummer SPA20N60C3 SPA20N60CFD SPA17N80C3 17N80C3 SPA2118Z
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) RFMD
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-111 PG-TO220-3-313 - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V - -
Verlustleistung (max) 34.5W (Tc) 35W (Tc) - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA 5V @ 1mA - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20.7A (Tc) 20.7A (Tc) - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V - -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V 220mOhm @ 13.1A, 10V - -
Paket Bulk Bulk - -

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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