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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPD04N60S5
SPD04N60S5 Image
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SPD04N60S5 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPD04N60S5
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPD04N60S5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SPD04N60S5.pdf
vorrätig: 4260

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Anzahl

Spezifikation

SPD04N60S5 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPD04N60S5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPD04N60S5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.9 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc)  
Grundproduktnummer SPD04N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPD04N60S5.

Produkteigenschaften SPD04N60S5 SPD04N60C3 SPD04N60C2 SPD04P10PGBTMA1
Artikelnummer SPD04N60S5 SPD04N60C3 SPD04N60C2 SPD04P10PGBTMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 580 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 580 pF @ 25 V 319 pF @ 25 V
Grundproduktnummer SPD04N SPD04N - SPD04P10
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 200µA 3.9V @ 200µA 5.5V @ 200µA 4V @ 380µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 4A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ SIPMOS®
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-1 PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.8A, 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 1Ohm @ 2.8A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.9 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 22.9 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 50W (Tc) 50W (Tc) 38W (Tc)

SPD04N60S5 Datenblatt PDF

Laden Sie SPD04N60S5 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPD04N60S5 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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