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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPD07N60C3
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SPD07N60C3 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPD07N60C3
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPD07N60C3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SPD07N60C3, SPU07N60C3.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3920

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Spezifikation

SPD07N60C3 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPD07N60C3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPD07N60C3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc)  
Grundproduktnummer SPD07N  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPD07N60C3.

Produkteigenschaften SPD07N60C3 SPD07N60C3BTMA1 SPD06N80C3ATMA1 SPD07N20
Artikelnummer SPD07N60C3 SPD07N60C3BTMA1 SPD06N80C3ATMA1 SPD07N20
Hersteller Infineon Technologies Nexperia USA Inc. Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 - PG-TO252-3 PG-TO252-3
Grundproduktnummer SPD07N - SPD06N80 SPD07N
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V - 800 V 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V - 41 nC @ 10 V 31.5 nC @ 10 V
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V - 785 pF @ 100 V 530 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA - 3.9V @ 250µA 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc) - 6A (Ta) 7A (Tc)
Verlustleistung (max) 83W (Tc) - 83W (Tc) 40W (Tc)
Serie CoolMOS™ - CoolMOS™ SIPMOS®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V - 900mOhm @ 3.8A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V

SPD07N60C3 Datenblatt PDF

Laden Sie SPD07N60C3 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPD07N60C3 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
Datenblätter
SPD07N60C3, SPU07N60C3.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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