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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPD15P10PLGBTMA1
SPD15P10PLGBTMA1 Image
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SPD15P10PLGBTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPD15P10PLGBTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPD15P10PLGBTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SPD15P10PLGBTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36437

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Anzahl

Spezifikation

SPD15P10PLGBTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPD15P10PLGBTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPD15P10PLGBTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1.54mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 11.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 128W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer SPD15P10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPD15P10PLGBTMA1.

Produkteigenschaften SPD15P10PLGBTMA1 SPD18P06PG SPD15P10PG SPD18P06P
Artikelnummer SPD15P10PLGBTMA1 SPD18P06PG SPD15P10PG SPD18P06P
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1.54mA - 2.1V @ 1.54mA 4V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V - 1280 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V - 48 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Paket Tape & Reel (TR) - Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V - 100 V 60 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Grundproduktnummer SPD15P10 - - SPD18P
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 11.3A, 10V - 240mOhm @ 10.6A, 10V 130mOhm @ 13.2A, 10V
Serie SIPMOS® - SIPMOS® SIPMOS®
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 - PG-TO252-3-11 PG-TO252-3
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 128W (Tc) - 128W (Tc) 80W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) - 15A (Tc) 18.6A (Tc)

SPD15P10PLGBTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie SPD15P10PLGBTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPD15P10PLGBTMA1 - Infineon Technologies herunter.

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