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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPD35N10
SPD35N10 Image
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SPD35N10 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPD35N10
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPD35N10
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
SPD35N10.pdf
vorrätig: 4860

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Anzahl

Spezifikation

SPD35N10 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPD35N10 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPD35N10

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 26.4A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer SPD35N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPD35N10.

Produkteigenschaften SPD35N10 SPD30P06PGBTMA1 SPD50N03S2-07 SPD50N03S2L-06G
Artikelnummer SPD35N10 SPD30P06PGBTMA1 SPD50N03S2-07 SPD50N03S2L-06G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 30 V -
VGS (th) (Max) @ Id - 4V @ 1.7mA 4V @ 85µA -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V 1535 pF @ 25 V 2170 pF @ 25 V -
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 26.4A, 10V 75mOhm @ 21.5A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 125W (Tc) 136W (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 -
Grundproduktnummer SPD35N SPD30P06 SPD50N -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 46.5 nC @ 10 V -
Serie SIPMOS® Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® OptiMOS™ *
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 30A (Tc) 50A (Tc) -

SPD35N10 Datenblatt PDF

Laden Sie SPD35N10 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPD35N10 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 22/Feb/2008.pdf
Datenblätter
SPD35N10.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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