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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPD50P03LGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1 Image
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SPD50P03LGBTMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPD50P03LGBTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPD50P03LGBTMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Datenblatt
SPD50P03LGBTMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38662

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Anzahl

Spezifikation

SPD50P03LGBTMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPD50P03LGBTMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPD50P03LGBTMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6880 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer SPD50P03  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPD50P03LGBTMA1.

Produkteigenschaften SPD50P03LGBTMA1 SPD50N03S2L-06G SPD50N03S2L06T SPD50P03L
Artikelnummer SPD50P03LGBTMA1 SPD50N03S2L-06G SPD50N03S2L06T SPD50P03L
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-5 - PG-TO252-3-11 PG-TO252-5-3
Verpackung / Gehäuse TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6880 pF @ 25 V - 2530 pF @ 25 V 6880 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Grundproduktnummer SPD50P03 - SPD50N SPD50P
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA - 2V @ 85µA 2V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET P-Channel - N-Channel P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126 nC @ 10 V - 68 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V - 6.4mOhm @ 50A, 10V 7mOhm @ 50A, 10V
Serie OptiMOS™ * OptiMOS™ OptiMOS™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) - 50A (Tc) 50A (Tc)
Verlustleistung (max) 150W (Tc) - 136W (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 4.5V, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 30 V 30 V

SPD50P03LGBTMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie SPD50P03LGBTMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPD50P03LGBTMA1 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Verpackung
Cover Tape Width Update 17/Jun/2015.pdf Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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