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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSPP17N80C3XKSA1
SPP17N80C3XKSA1 Image
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SPP17N80C3XKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
SPP17N80C3XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-SPP17N80C3XKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
SPP17N80C3XKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14845

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Anzahl

Spezifikation

SPP17N80C3XKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - SPP17N80C3XKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - SPP17N80C3XKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc)  
Grundproduktnummer SPP17N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies SPP17N80C3XKSA1.

Produkteigenschaften SPP17N80C3XKSA1 SPP16N50C3 SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PH
Artikelnummer SPP17N80C3XKSA1 SPP16N50C3 SPP18P06PHXKSA1 SPP18P06PH
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Paket Tube Bulk - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 25 V 1600 pF @ 25 V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V - -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 500 V - -
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 17A (Tc) 16A (Tc) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ - -
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 160W (Tc) - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA 3.9V @ 675µA - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Grundproduktnummer SPP17N80 - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V 280mOhm @ 10A, 10V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -

SPP17N80C3XKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie SPP17N80C3XKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für SPP17N80C3XKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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