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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2DB1424R-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2DB1424R-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
2DB1424R-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-2DB1424R-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 20V 3A SOT89-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2DB1424R.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5300

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Anzahl

Spezifikation

2DB1424R-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - 2DB1424R-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - 2DB1424R-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 2A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-89-3  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 220MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 100mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer 2DB1424  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated 2DB1424R-13.

Produkteigenschaften 2DB1424R-13 2DB1188R-13 2DB1386Q-13 2DB1713-13
Artikelnummer 2DB1424R-13 2DB1188R-13 2DB1386Q-13 2DB1713-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Grundproduktnummer 2DB1424 2DB1188 2DB1386 2DB1713
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 180 @ 100mA, 2V 180 @ 500mA, 3V 120 @ 500mA, 2V 270 @ 500mA, 2V
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA TO-243AA TO-243AA
Leistung - max 1 W 1 W 1 W 900 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 2 A 5 A 3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 20 V 32 V 20 V 12 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 220MHz 120MHz 100MHz 180MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 500nA (ICBO) 100nA (ICBO)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 2A 800mV @ 200mA, 2A 1V @ 100mA, 4A 250mV @ 30mA, 1.5A
Supplier Device-Gehäuse SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP

2DB1424R-13 Datenblatt PDF

Laden Sie 2DB1424R-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für 2DB1424R-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 21/Oct/2019.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2021.pdf
Datenblätter
2DB1424R.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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2DB1424R-13

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