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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Arrays2N7002DWS-7
2N7002DWS-7 Image
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2N7002DWS-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
2N7002DWS-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-2N7002DWS-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
2N7002DWS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 866350

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Anzahl

Spezifikation

2N7002DWS-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - 2N7002DWS-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - 2N7002DWS-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V  
Leistung - max 290mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 41pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 247mA (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer 2N7002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated 2N7002DWS-7.

Produkteigenschaften 2N7002DWS-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWA-7 2N7002DWKX-7
Artikelnummer 2N7002DWS-7 2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWA-7 2N7002DWKX-7
Hersteller Diodes Incorporated Infineon Technologies Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V 0.6nC @ 10V 0.87nC @ 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 60V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 PG-SOT363-PO SOT-363 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 41pF @ 25V 20pF @ 25V 22pF @ 25V -
Serie - OptiMOS™ - *
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 247mA (Ta) 300mA 180mA -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Leistung - max 290mW (Ta) 500mW 300mW -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 6Ohm @ 115mA, 10V -
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Grundproduktnummer 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 -

2N7002DWS-7 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N7002DWS-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für 2N7002DWS-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
2N7002DWS.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
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