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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2N7002TQ-7-F
2N7002TQ-7-F Image
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2N7002TQ-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
2N7002TQ-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-2N7002TQ-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-523
Datenblatt
2N7002TQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 353800

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Anzahl

Spezifikation

2N7002TQ-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - 2N7002TQ-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - 2N7002TQ-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-523  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 150mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-523  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 115mA (Ta)  
Grundproduktnummer 2N7002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated 2N7002TQ-7-F.

Produkteigenschaften 2N7002TQ-7-F 2N7002T-7-G 2N7002TA 2N7002VA
Artikelnummer 2N7002TQ-7-F 2N7002T-7-G 2N7002TA 2N7002VA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V - 5V, 10V -
Typ FET N-Channel - N-Channel -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-523 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-563, SOT-666
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 115mA (Ta) - 115mA (Ta) 280mA
Serie Automotive, AEC-Q101 * - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V - 60 V 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5Ohm @ 500mA, 10V - 7.5Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Grundproduktnummer 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
Supplier Device-Gehäuse SOT-523 - SOT-23-3 SOT-563F
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V - 50 pF @ 25 V 50pF @ 25V
FET-Merkmal - - - Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 150mW (Ta) - 330mW (Ta) -

2N7002TQ-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie 2N7002TQ-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für 2N7002TQ-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev 04/Dec/2020.pdf
Datenblätter
2N7002TQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-2N7002TQ-7-F

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