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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2N7002W-7-F
2N7002W-7-F Image
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2N7002W-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
2N7002W-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-2N7002W-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
2N7002W Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 553350

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Anzahl

Spezifikation

2N7002W-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - 2N7002W-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - 2N7002W-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-323  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V  
Verlustleistung (max) 200mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 115mA (Ta)  
Grundproduktnummer 2N7002  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated 2N7002W-7-F.

Produkteigenschaften 2N7002W-7-F 2N7002W 2N7002W 2N7002W
Artikelnummer 2N7002W-7-F 2N7002W 2N7002W 2N7002W
Hersteller Diodes Incorporated onsemi Fairchild Semiconductor Yangjie Technology
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 115mA (Ta) 310mA (Ta) 115mA (Ta) 115mA
Grundproduktnummer 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-323 SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) SOT-323
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 24.5 pF @ 20 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V 1.6Ohm @ 50mA, 5V 7.5Ohm @ 50mA, 5V 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
Verlustleistung (max) 200mW (Ta) 280mW (Tj) 200mW (Ta) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

2N7002W-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie 2N7002W-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für 2N7002W-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 3/May/2011.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
2N7002W Datasheet.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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