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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelAPT13003LZTR-G1
APT13003LZTR-G1 Image
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APT13003LZTR-G1 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
APT13003LZTR-G1
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-APT13003LZTR-G1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 450V 0.8A TO92
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
APT13003LZTR-G1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3800

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Anzahl

Spezifikation

APT13003LZTR-G1 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - APT13003LZTR-G1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - APT13003LZTR-G1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 450 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 40mA, 200mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92  
Serie -  
Leistung - max 800 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Box (TB)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 6 @ 300mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA  
Grundproduktnummer APT13003  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated APT13003LZTR-G1.

Produkteigenschaften APT13003LZTR-G1 APT13003SU-G1 APT13005DT-G1 APT13005SI-G1
Artikelnummer APT13003LZTR-G1 APT13003SU-G1 APT13005DT-G1 APT13005SI-G1
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tape & Box (TB) Bulk Box Tube
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-225AA, TO-126-3 TO-220-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Frequenz - Übergang - 4MHz 4MHz 4MHz
Grundproduktnummer APT13003 APT13003 APT13005 APT13005
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 450 V 450 V 450 V 450 V
Strom - Collector Cutoff (Max) - - - -
Leistung - max 800 mW 20 W 75 W 25 W
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA 1.3 A 4 A 3.2 A
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Supplier Device-Gehäuse TO-92 TO-126 TO-220-3 TO-251
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 40mA, 200mA 1.2V @ 250mA, 1A 900mV @ 1A, 4A 1V @ 750mA, 3A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 6 @ 300mA, 10V 5 @ 1A, 2V 8 @ 2A, 5V 8 @ 2A, 5V

APT13003LZTR-G1 Datenblatt PDF

Laden Sie APT13003LZTR-G1 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für APT13003LZTR-G1 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2021.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Diodes Incorporated
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