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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBC858BW-7-F
BC858BW-7-F Image
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BC858BW-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
BC858BW-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-BC858BW-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
BC856AW - BC858CW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2437450

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Anzahl

Spezifikation

BC858BW-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - BC858BW-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - BC858BW-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-323  
Serie -  
Leistung - max 200 mW  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA  
Grundproduktnummer BC858  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated BC858BW-7-F.

Produkteigenschaften BC858BW-7-F BC858BT116 BC858BW BC858BW
Artikelnummer BC858BW-7-F BC858BT116 BC858BW BC858BW
Hersteller Diodes Incorporated Rohm Semiconductor Diotec Semiconductor Yangjie Technology
Strom - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO) 100nA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Frequenz - Übergang 200MHz 250MHz 100MHz 100MHz
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 220 @ 2mA, 5V 210 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Leistung - max 200 mW 350 mW 200 mW 200 mW
Supplier Device-Gehäuse SOT-323 SST3 SOT-323 SOT-323
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Grundproduktnummer BC858 BC858 - -

BC858BW-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie BC858BW-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für BC858BW-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 16/Sept/2008.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chg 5/Apr/2021.pdf
Datenblätter
BC856AW - BC858CW.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-BC858BW-7-F

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