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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBCP5316TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BCP5316TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
BCP5316TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-BCP5316TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANSISTOR PNP MED PWR SOT223
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
BCP51-53.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4510

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Anzahl

Spezifikation

BCP5316TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - BCP5316TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - BCP5316TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 2V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer BCP5316  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated BCP5316TC.

Produkteigenschaften BCP5316TC BCP53-16T1G BCP5310TA BCP53-16TX
Artikelnummer BCP5316TC BCP53-16T1G BCP5310TA BCP53-16TX
Hersteller Diodes Incorporated onsemi Diodes Incorporated Nexperia USA Inc.
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 150mA, 2V 100 @ 150mA, 2V 63 @ 150mA, 2V 63 @ 150mA, 2V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA 500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 1.5 A 1 A 1 A
Frequenz - Übergang 150MHz 50MHz 150MHz 145MHz
Grundproduktnummer BCP5316 BCP53 BCP5310 BCP53
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 80 V 80 V 80 V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
Leistung - max 2 W 1.5 W 2 W 1.35 W
Strom - Collector Cutoff (Max) - 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 SOT-223 (TO-261) SOT-223-3 SOT-223
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

BCP5316TC Datenblatt PDF

Laden Sie BCP5316TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für BCP5316TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
BCP51-53.pdf

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Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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