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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBCW66HTA
BCW66HTA Image
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BCW66HTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
BCW66HTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-BCW66HTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BCW66H.pdf
RoHS Status
vorrätig: 350000

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Anzahl

Spezifikation

BCW66HTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - BCW66HTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - BCW66HTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie -  
Leistung - max 330 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 100MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 100mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA  
Grundproduktnummer BCW66  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated BCW66HTA.

Produkteigenschaften BCW66HTA BCW66G BCW66HQTA BCW66GLT3G
Artikelnummer BCW66HTA BCW66G BCW66HQTA BCW66GLT3G
Hersteller Diodes Incorporated onsemi Diodes Incorporated onsemi
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Strom - Collector Cutoff (Max) 20nA 20nA 20nA 20nA
Leistung - max 330 mW 350 mW 310 mW 300 mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 250 @ 100mA, 1V 160 @ 100mA, 1V 250 @ 100mA, 1V 160 @ 100mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 800 mA 1 A 800 mA 800 mA
Grundproduktnummer BCW66 BCW66 BCW66 BCW66
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 45 V 45 V 45 V 45 V
Frequenz - Übergang 100MHz 100MHz 100MHz 100MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA 700mV @ 50mA, 500mA
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN

BCW66HTA Datenblatt PDF

Laden Sie BCW66HTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für BCW66HTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Rev 21/Apr/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material/Site Chg 29/Mar/2018.pdf
Datenblätter
BCW66H.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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BCW66HTA

Diodes Incorporated
32D-BCW66HTA

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