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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSS138DW-7-F
BSS138DW-7-F Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSS138DW-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
BSS138DW-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-BSS138DW-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
BSS138DW Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 310330

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Anzahl

Spezifikation

BSS138DW-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - BSS138DW-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - BSS138DW-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 220mA, 10V  
Leistung - max 200mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSS138  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated BSS138DW-7-F.

Produkteigenschaften BSS138DW-7-F BSS138DWQ-7 BSS138AKAR BSS138BK215
Artikelnummer BSS138DW-7-F BSS138DWQ-7 BSS138AKAR BSS138BK215
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Nexperia USA Inc. Nexperia
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q100 -
Grundproduktnummer BSS138 BSS138 BSS138 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Leistung - max 200mW 200mW - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 50V 60 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 SOT-363 TO-236AB -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250mA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 220mA, 10V 3.5Ohm @ 220mA, 10V 4.5Ohm @ 100mA, 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - 0.51 nC @ 4.5 V -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V 50pF @ 10V 47 pF @ 30 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200mA 200mA 200mA (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

BSS138DW-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie BSS138DW-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für BSS138DW-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 16/Sept/2008.pdf Green Encapsulate Change 09/July/2007.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
BSS138DW Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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