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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDDTB113ZU-7-F
DDTB113ZU-7-F Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DDTB113ZU-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DDTB113ZU-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DDTB113ZU-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-70, SOT-323
Datenblatt
DDTB (zzzz) UDDTBU.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4520

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Anzahl

Spezifikation

DDTB113ZU-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DDTB113ZU-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DDTB113ZU-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA  
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-323  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms  
Leistung - max 200 mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 200 MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 50mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA  
Grundproduktnummer DDTB113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DDTB113ZU-7-F.

Produkteigenschaften DDTB113ZU-7-F DDTA144WKA-7-F DDTB114TC-7-F DDTB113EC-7-F
Artikelnummer DDTB113ZU-7-F DDTA144WKA-7-F DDTB114TC-7-F DDTB113EC-7-F
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Widerstand - Basis (R1) 1 kOhms 47 kOhms 10 kOhms 1 kOhms
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500 mA 100 mA 500 mA 500 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA (ICBO) 500nA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Frequenz - Übergang 200 MHz 250 MHz 200 MHz 200 MHz
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 2.5mA, 50mA 300mV @ 2.5mA, 50mA
Leistung - max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Grundproduktnummer DDTB113 DDTA144 DDTB114 DDTB113
Supplier Device-Gehäuse SOT-323 SC-59-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms 22 kOhms - 1 kOhms
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 56 @ 50mA, 5V 56 @ 10mA, 5V 100 @ 5mA, 5V 33 @ 50mA, 5V

DDTB113ZU-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie DDTB113ZU-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DDTB113ZU-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chg 5/Apr/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 15/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DDTB (zzzz) UDDTBU.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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