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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biasedDDTC115GE-7-F
DDTC115GE-7-F Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DDTC115GE-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DDTC115GE-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DDTC115GE-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-523
Datenblatt
DDTC1x4GE, DDTC115GE.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 572750

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Spezifikation

DDTC115GE-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DDTC115GE-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DDTC115GE-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased  
Supplier Device-Gehäuse SOT-523  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms  
Leistung - max 150mW  
Verpackung Tape & Reel (TR)  
Verpackung / Gehäuse SOT-523  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Andere Namen DDTC115GE-FDITR  
Befestigungsart Surface Mount  
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Frequenz - Übergang 250MHz  
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Basisteilenummer DDTC115  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DDTC115GE-7-F.

Produkteigenschaften DDTC115GE-7-F DDTC115EUA-7-F DDTC115EUA-7 DDTC115EUAQ-7-F
Artikelnummer DDTC115GE-7-F DDTC115EUA-7-F DDTC115EUA-7 DDTC115EUAQ-7-F
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Andere Namen DDTC115GE-FDITR - - -
Frequenz - Übergang 250MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA 500nA 500nA
Verpackung Tape & Reel (TR) - - -
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-523 SOT-323 SOT-323 SOT-323
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V 82 @ 5mA, 5V 82 @ 5mA, 5V 82 @ 5mA, 5V
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-523 - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased
Basisteilenummer DDTC115 - - -
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V 50 V 50 V 50 V
Verpackung / Gehäuse SOT-523 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Serie - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA 100 mA 100 mA 100 mA
Leistung - max 150mW 200 mW 200 mW 200 mW
Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms 100 kOhms

DDTC115GE-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie DDTC115GE-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DDTC115GE-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Datenblätte
DDTC1x4GE, DDTC115GE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
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Diodes Incorporated
32D-DDTC115GE-7-F

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