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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberDGD0507AFN-7
DGD0507AFN-7 Image
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DGD0507AFN-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DGD0507AFN-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DGD0507AFN-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
detaillierte Beschreibung
Verpackung
10-WFDFN Exposed Pad
Datenblatt
DGD0507A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 72970

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Anzahl

Spezifikation

DGD0507AFN-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DGD0507AFN-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DGD0507AFN-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannungsversorgung 8V ~ 14V  
Supplier Device-Gehäuse W-DFN3030-10  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 16ns, 18ns  
Verpackung / Gehäuse 10-WFDFN Exposed Pad  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V  
Eingabetyp CMOS/TTL  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 50 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.5A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer DGD0507  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DGD0507AFN-7.

Produkteigenschaften DGD0507AFN-7 DGD2103AS8-13 DGD05463FN-7 DGD05473FN-7
Artikelnummer DGD0507AFN-7 DGD2103AS8-13 DGD05463FN-7 DGD05473FN-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Gate-Typ N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.5A, 2A 290mA, 600mA 1.5A, 2.5A 1.5A, 2.5A
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Eingabetyp CMOS/TTL Inverting, Non-Inverting CMOS/TTL CMOS/TTL
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Verpackung / Gehäuse 10-WFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 10-WFDFN Exposed Pad 10-WFDFN Exposed Pad
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Ladestrom Independent Independent Synchronous Independent
Spannungsversorgung 8V ~ 14V 10V ~ 20V 4.5V ~ 14V 0.3V ~ 60V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.4V 0.8V, 2.4V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 50 V 600 V 50 V 50 V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 16ns, 18ns 100ns, 50ns 17ns, 12ns 16ns, 12ns
Supplier Device-Gehäuse W-DFN3030-10 8-SO W-DFN3030-10 W-DFN3030-10
Grundproduktnummer DGD0507 DGD2103 DGD05463 DGD05473
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DGD0507AFN-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DGD0507AFN-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DGD0507AFN-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DGD0507A.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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