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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelDJT4030P-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DJT4030P-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DJT4030P-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DJT4030P-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 40V 3A SOT223-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
DJT4030P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 222350

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Anzahl

Spezifikation

DJT4030P-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DJT4030P-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DJT4030P-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 300mA, 3A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3  
Serie -  
Leistung - max 1.2 W  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 150MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 1A, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer DJT4030  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DJT4030P-13.

Produkteigenschaften DJT4030P-13 BC68-25PA,115 NSS1C301ET4G ZTX688B
Artikelnummer DJT4030P-13 BC68-25PA,115 NSS1C301ET4G ZTX688B
Hersteller Diodes Incorporated Nexperia USA Inc. onsemi Diodes Incorporated
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 2 A 3 A 3 A
Supplier Device-Gehäuse SOT-223-3 3-HUSON (2x2) DPAK E-Line (TO-92 compatible)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Grundproduktnummer DJT4030 BC68 NSS1C301 ZTX688B
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA 3-PowerUDFN TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 E-Line-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 200 @ 1A, 1V 160 @ 500mA, 1V 120 @ 1A, 2V 500 @ 100mA, 2V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Leistung - max 1.2 W 420 mW 2.1 W 1 W
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 40 V 20 V 100 V 12 V
Frequenz - Übergang 150MHz 170MHz 120MHz 150MHz
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 300mA, 3A 600mV @ 200mA, 2A 250mV @ 300mA, 3A 350mV @ 20mA, 3A
Transistor-Typ PNP NPN NPN NPN

DJT4030P-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DJT4030P-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DJT4030P-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
Datenblätter
DJT4030P.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source 21/Apr/2017.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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