DMC2038LVT-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMC2038LVT-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMC2038LVT-7

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Diodes Incorporated
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TSOT-26
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4A, 4.5V
Leistung - max	800mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.7A, 2.6A
Konfiguration	N and P-Channel
Grundproduktnummer	DMC2038

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMC2038LVT-7.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	DMC2038LVT-7	DMC2053UVT-7	DMC2004VK-7	DMC2053UFDBQ-7
Hersteller	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse	TSOT-26	TSOT-26	SOT-563	U-DFN2020-6 (Type B)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	20V	20V	20V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer	DMC2038	DMC2053	DMC2004	DMC2053
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 4A, 4.5V	35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V	550mOhm @ 540mA, 4.5V	35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	530pF @ 10V	369pF @ 10V, 440pF @ 10V	150pF @ 16V	369pF @ 10V, 440pF @ 10V
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-563, SOT-666	6-UDFN Exposed Pad
Serie	-	-	-	Automotive, AEC-Q101
Leistung - max	800mW	700mW (Ta)	450mW	820mW (Ta)
Konfiguration	N and P-Channel	N and P-Channel Complementary	N and P-Channel	N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V	3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V	-	7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.7A, 2.6A	4.6A (Ta), 3.2A (Ta)	670mA, 530mA	4.6A (Ta), 3.1A (Ta)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	-	Logic Level Gate	-
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	1V @ 250µA	1V @ 250µA	1V @ 250µA

DMC2038LVT-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMC2038LVT-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMC2038LVT-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen: Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft: Mult Dev Assembly/Materials 25/Mar/2019.pdf
Datenblätter: DMC2038LVT.pdf

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Ozeanien	Neuseeland	5
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Asien	Japan	4
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