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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMC3018LSD-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMC3018LSD-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMC3018LSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMC3018LSD-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMC3018LSD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4050

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Spezifikation

DMC3018LSD-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMC3018LSD-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMC3018LSD-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.9A, 10V  
Leistung - max 2.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 631pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.1A, 6A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer DMC3018  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMC3018LSD-13.

Produkteigenschaften DMC3018LSD-13 DMC3021LSDQ-13 DMC3025LSD-13 DMC3021LK4-13
Artikelnummer DMC3018LSD-13 DMC3021LSDQ-13 DMC3025LSD-13 DMC3021LK4-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4nC @ 10V 16.1nC @ 10V 9.8nC @ 10V 17.4nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.1A, 6A 8.5A, 7A 6.5A, 4.2A 9.4A, 6.8A
Grundproduktnummer DMC3018 DMC3021 DMC3025 DMC3021
Leistung - max 2.5W 2.5W 1.2W 2.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.9A, 10V 21mOhm @ 7A, 10V 20mOhm @ 7.4A, 10V 21mOhm @ 7A, 10V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO TO-252-4L
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 631pF @ 15V 767pF @ 10V 501pF @ 15V 751pF @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.1V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel, Common Drain

DMC3018LSD-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMC3018LSD-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMC3018LSD-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 24/Nov/2014.pdf
Datenblätter
DMC3018LSD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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