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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMC3026LSD-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMC3026LSD-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMC3026LSD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMC3026LSD-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMC3026LSD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 156010

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Spezifikation

DMC3026LSD-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMC3026LSD-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMC3026LSD-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 1.6W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta), 8A (Ta)  
Konfiguration N and P-Channel Complementary  
Grundproduktnummer DMC3026  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMC3026LSD-13.

Produkteigenschaften DMC3026LSD-13 DMC3032LSD-13 DMC3021LK4-13 DMC3028LSD-13
Artikelnummer DMC3026LSD-13 DMC3032LSD-13 DMC3021LK4-13 DMC3028LSD-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO TO-252-4L 8-SO
Grundproduktnummer DMC3026 DMC3032 DMC3021 DMC3028
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V 9.2nC @ 10V 17.4nC @ 10V 10.5nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Leistung - max 1.6W 2.5W 2.7W 1.8W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Konfiguration N and P-Channel Complementary N and P-Channel N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.2A (Ta), 8A (Ta) 8.1A, 7A 9.4A, 6.8A 6.6A, 6.8A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V 404.5pF @ 15V 751pF @ 10V 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V 32mOhm @ 7A, 10V 21mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 6A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA 3V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

DMC3026LSD-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMC3026LSD-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMC3026LSD-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMC3026LSD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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