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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG2302UK-7
DMG2302UK-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMG2302UK-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG2302UK-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG2302UK-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMG2302UK.pdf
RoHS Status
vorrätig: 509350

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Anzahl

Spezifikation

DMG2302UK-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG2302UK-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG2302UK-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.6A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 660mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta)  
Grundproduktnummer DMG2302  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG2302UK-7.

Produkteigenschaften DMG2302UK-7 DMG2302U-7 DMG2301L-7 DMG2305UX-13
Artikelnummer DMG2302UK-7 DMG2302U-7 DMG2301L-7 DMG2305UX-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.6A, 4.5V 90mOhm @ 3.6A, 4.5V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±8V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 660mW (Ta) 800mW (Ta) 1.5W (Ta) 1.4W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 50µA 1.2V @ 250µA 900mV @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta) 4.2A (Ta) 3A (Ta) 4.2A (Ta)
Grundproduktnummer DMG2302 DMG2302 DMG2301 DMG2305
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V 10.2 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V 594.3 pF @ 10 V 476 pF @ 10 V 808 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

DMG2302UK-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG2302UK-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG2302UK-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Source 28/Oct/2022.pdf
Datenblätter
DMG2302UK.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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