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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG3415UQ-7
DMG3415UQ-7 Image
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DMG3415UQ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG3415UQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG3415UQ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
DMG3415UQ.pdf
vorrätig: 241960

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Anzahl

Spezifikation

DMG3415UQ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG3415UQ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG3415UQ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42.5mOhm @ 4A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 900mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 294 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta)  
Grundproduktnummer DMG3415  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG3415UQ-7.

Produkteigenschaften DMG3415UQ-7 DMG3418L-7 DMG3420U-7 DMG3415UFY4Q-7
Artikelnummer DMG3415UQ-7 DMG3418L-7 DMG3420U-7 DMG3415UFY4Q-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Vgs (Max) ±8V ±12V ±12V ±8V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) 4A (Ta) 5.47A (Ta) 2.5A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.1 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V 5.4 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 294 pF @ 10 V 464.3 pF @ 15 V 434.7 pF @ 10 V 282 pF @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3-XDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42.5mOhm @ 4A, 4.5V 60mOhm @ 4A, 10V 29mOhm @ 6A, 10V 39mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max) 900mW (Ta) 1.4W (Ta) 740mW (Ta) 650mW (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 20 V 16 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 10V 1.8V, 10V 1.8V, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 X2-DFN2015-3
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer DMG3415 DMG3418 DMG3420 DMG3415
FET-Merkmal - - - -

DMG3415UQ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG3415UQ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG3415UQ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMG3415UQ.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-DMG3415UQ-7

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