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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMG4511SK4-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMG4511SK4-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG4511SK4-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG4511SK4-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Datenblatt
DMG4511SK4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 106480

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Anzahl

Spezifikation

DMG4511SK4-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG4511SK4-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG4511SK4-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252-4L  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 8A, 10V  
Leistung - max 1.54W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 35V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A, 5A  
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain  
Grundproduktnummer DMG4511  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG4511SK4-13.

Produkteigenschaften DMG4511SK4-13 DMG4710SSS DMG4466SSSL DMG4466SSSL-13
Artikelnummer DMG4511SK4-13 DMG4710SSS DMG4466SSSL DMG4466SSSL-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 1.54W - - -
Grundproduktnummer DMG4511 - - DMG4466
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V - - 17 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 35V - - 30 V
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA - - 2.4V @ 250µA
Serie - - - -
Konfiguration N and P-Channel, Common Drain - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-252-4L - - 8-SO
Befestigungsart Surface Mount - - Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 8A, 10V - - 23mOhm @ 10A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A, 5A - - 10A (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD - - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 25V - - 478.9 pF @ 15 V
Paket Tape & Reel (TR) - - Tape & Reel (TR)

DMG4511SK4-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMG4511SK4-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG4511SK4-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMG4511SK4.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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