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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMG9N65CTI
DMG9N65CTI Image
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DMG9N65CTI - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMG9N65CTI
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMG9N65CTI
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
DMG9N65CTI.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4990

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Anzahl

Spezifikation

DMG9N65CTI Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMG9N65CTI Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMG9N65CTI

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ITO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 13W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer DMG9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMG9N65CTI.

Produkteigenschaften DMG9N65CTI DMG9N65CT DMG9933USD-13 MOS DMG9933USD-13
Artikelnummer DMG9N65CTI DMG9N65CT DMG9933USD-13 MOS DMG9933USD-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse ITO-220AB TO-220-3 - 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V - 20V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Surface Mount
Verlustleistung (max) 13W (Tc) 165W (Tc) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA - 1.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V 1.3Ohm @ 4.5A, 10V - 75mOhm @ 4.8A, 4.5V
Grundproduktnummer DMG9 DMG9 - DMG9933
Paket Tube Tube - Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) - 4.6A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V - 6.5nC @ 4.5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2310 pF @ 25 V 2310 pF @ 25 V - 608.4pF @ 6V
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - Logic Level Gate

DMG9N65CTI Datenblatt PDF

Laden Sie DMG9N65CTI PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMG9N65CTI - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 05/Feb/2019.pdf
Datenblätter
DMG9N65CTI.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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