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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-ArraysDMMT5551S-7-F
DMMT5551S-7-F Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMMT5551S-7-F - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMMT5551S-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMMT5551S-7-F
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-23-6
Datenblatt
DMMT5551(S).pdf
RoHS Status
vorrätig: 413150

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Anzahl

Spezifikation

DMMT5551S-7-F Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMMT5551S-7-F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMMT5551S-7-F

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 160V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA  
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) Matched Pair  
Supplier Device-Gehäuse SOT-26  
Serie -  
Leistung - max 300mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 300MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA  
Grundproduktnummer DMMT5551  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMMT5551S-7-F.

Produkteigenschaften DMMT5551S-7-F CA3083 DMMT3906-7-F DMMT3904W-7-F
Artikelnummer DMMT5551S-7-F CA3083 DMMT3906-7-F DMMT3904W-7-F
Hersteller Diodes Incorporated Renesas Electronics America Inc Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Verpackung / Gehäuse SOT-23-6 16-DIP (0.300", 7.62mm) SOT-23-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V 40 @ 50mA, 3V 100 @ 10mA, 1V 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device-Gehäuse SOT-26 16-PDIP SOT-26 SOT-363
Strom - Kollektor (Ic) (max) 200mA 100mA 200mA 200mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA 700mV @ 5mA, 50mA 400mV @ 5mA, 50mA 300mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ 2 NPN (Dual) Matched Pair 5 NPN 2 PNP (Dual) Matched Pair 2 NPN (Dual) Matched Pair
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 160V 15V 40V 40V
Grundproduktnummer DMMT5551 CA3083 DMMT3906 DMMT3904
Frequenz - Übergang 300MHz 450MHz 250MHz 300MHz
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 300mW 500mW 225mW 200mW
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 10µA - -

DMMT5551S-7-F Datenblatt PDF

Laden Sie DMMT5551S-7-F PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMMT5551S-7-F - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Leadframe Material Update 09/Apr/2014.pdf Die Passivation 13/Jun/2023.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
DMMT5551(S).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Diodes Incorporated
32D-DMMT5551S-7-F

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