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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN2036UCB4-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN2036UCB4-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN2036UCB4-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN2036UCB4-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-XFBGA, WLBGA
Datenblatt
DMN2036UCB4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 186720

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Anzahl

Spezifikation

DMN2036UCB4-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN2036UCB4-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN2036UCB4-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse X2-WLB1616-4  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Leistung - max 1.45W  
Verpackung / Gehäuse 4-XFBGA, WLBGA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds -  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) -  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C -  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Grundproduktnummer DMN2036  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN2036UCB4-7.

Produkteigenschaften DMN2036UCB4-7 DMN2029USD-13 DMN2041LSD-13 DMN2028UFU-7
Artikelnummer DMN2036UCB4-7 DMN2029USD-13 DMN2041LSD-13 DMN2028UFU-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer DMN2036 DMN2029 DMN2041 DMN2028
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse X2-WLB1616-4 8-SO 8-SO U-DFN2030-6 (Type B)
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - 5.8A 7.63A 7.5A
Leistung - max 1.45W 1.2W 1.16W 900mW
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 4-XFBGA, WLBGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-UFDFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) - 20V 20V 20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - 1171pF @ 10V 550pF @ 10V 887pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 28mOhm @ 6A, 4.5V 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id - 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 4.5V 18.6nC @ 8V 15.6nC @ 10V 18.4nC @ 8V

DMN2036UCB4-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN2036UCB4-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN2036UCB4-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMN2036UCB4.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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