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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN4800LSS-13
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN4800LSS-13 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN4800LSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN4800LSS-13
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
DMN4800LSS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 252630

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Anzahl

Spezifikation

DMN4800LSS-13 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN4800LSS-13 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN4800LSS-13

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.46W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.47 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta)  
Grundproduktnummer DMN4800  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN4800LSS-13.

Produkteigenschaften DMN4800LSS-13 DMN4036LK3-13 DMN5040LSS-13 DMN4040SK3-13
Artikelnummer DMN4800LSS-13 DMN4036LK3-13 DMN5040LSS-13 DMN4040SK3-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Ta) 8.5A (Ta) 5.2A (Ta) 6A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - Automotive, AEC-Q101 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 1.46W (Ta) 2.12W (Ta) 1.3W (Ta) 1.71W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 50 V 40 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer DMN4800 DMN4036 DMN5040 DMN4040
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9A, 10V 36mOhm @ 12A, 10V 40mOhm @ 4.5A, 10V 30mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO TO-252-3 8-SO TO-252-3
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.47 nC @ 5 V 9.2 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 18.6 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798 pF @ 10 V 453 pF @ 20 V 836 pF @ 30 V 945 pF @ 20 V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN4800LSS-13 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN4800LSS-13 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN4800LSS-13 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN Andere
Multiple Device Changes 29/Apr/2013.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Bond Wire 11/Nov/2011.pdf
Datenblätter
DMN4800LSS.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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