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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN53D0LT-7
DMN53D0LT-7 Image
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DMN53D0LT-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN53D0LT-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN53D0LT-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
DIODE
Verpackung
SOT-523
Datenblatt
DMN53D0LT.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 779400

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Spezifikation

DMN53D0LT-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN53D0LT-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN53D0LT-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-523  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 300mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse SOT-523  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA (Ta)  
Grundproduktnummer DMN53  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN53D0LT-7.

Produkteigenschaften DMN53D0LT-7 DMN53D0U-7 DMN5040LSS-13 DMN4800LSSQ-13
Artikelnummer DMN53D0LT-7 DMN53D0U-7 DMN5040LSS-13 DMN4800LSSQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse SOT-523 SOT-23-3 8-SO 8-SO
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 300mW (Ta) 520mW (Ta) 1.3W (Ta) 1.46W (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V 50 V 50 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA (Ta) 300mA (Ta) 5.2A (Ta) 8.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V 1.8V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1.6V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V 0.6 nC @ 4.5 V 14.5 nC @ 10 V 8.7 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse SOT-523 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 50mA, 5V 40mOhm @ 4.5A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V
Grundproduktnummer DMN53 DMN53 DMN5040 DMN4800
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46 pF @ 25 V 37.1 pF @ 25 V 836 pF @ 30 V 798 pF @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±12V ±20V ±25V

DMN53D0LT-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN53D0LT-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN53D0LT-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
DMN53D0LT.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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DMN53D0LT-7

Diodes Incorporated
32D-DMN53D0LT-7

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