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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN5L06VKQ-7
DMN5L06VKQ-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN5L06VKQ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN5L06VKQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN5L06VKQ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 50V 280MA SOT563
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-563, SOT-666
Datenblatt
DMN5L06VKQ-7.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 3850

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Anzahl

Spezifikation

DMN5L06VKQ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN5L06VKQ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN5L06VKQ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-563  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 280mA (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN5L06  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN5L06VKQ-7.

Produkteigenschaften DMN5L06VKQ-7 DMN601DWK-7 DMN5L06VK-13A DMN601DMK-7
Artikelnummer DMN5L06VKQ-7 DMN601DWK-7 DMN5L06VK-13A DMN601DMK-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Standard Logic Level Gate
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - 0.304nC @ 4.5V
Leistung - max 250mW 200mW 250mW 700mW
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V 50pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V 2Ohm @ 500mA, 10V 2Ohm @ 50mA, 5V 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Grundproduktnummer DMN5L06 DMN601 - DMN601
Supplier Device-Gehäuse SOT-563 SOT-363 SOT-563 SOT-26
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 SOT-23-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 280mA (Ta) 305mA 280mA (Ta) 510mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V 60V 50V 60V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.5V @ 1mA 1.2V @ 250µA 2.5V @ 1mA

DMN5L06VKQ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN5L06VKQ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN5L06VKQ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
OBS NOTICE 29/Aug/2022.pdf
PCN -Design/Spezifikation
DM CAT 20-Mar-2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
DMG/DMN/DMT 02/Mar/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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