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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelDMN6069SFGQ-7
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN6069SFGQ-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN6069SFGQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN6069SFGQ-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
DMN6069SFGQ.pdf
RoHS Status
vorrätig: 155450

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Spezifikation

DMN6069SFGQ-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN6069SFGQ-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN6069SFGQ-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer DMN6069  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN6069SFGQ-7.

Produkteigenschaften DMN6069SFGQ-7 DMN6075S-7 DMN6070SY-13 DMN6069SFGQ-13
Artikelnummer DMN6069SFGQ-7 DMN6075S-7 DMN6070SY-13 DMN6069SFGQ-13
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Supplier Device-Gehäuse PowerDI3333-8 SOT-23-3 SOT-89-3 PowerDI3333-8
Verlustleistung (max) 2.4W 800mW (Ta) 2.1W (Ta) 2.4W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 30 V 606 pF @ 20 V 588 pF @ 30 V 1480 pF @ 30 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA 8-PowerVDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V 85mOhm @ 3.2A, 10V 85mOhm @ 2.5A, 10V 50mOhm @ 4.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 2A (Ta) 4.1A (Ta) 18A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Grundproduktnummer DMN6069 DMN6075 DMN6070 DMN6069
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 12.3 nC @ 10 V 12.3 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Serie - - - -

DMN6069SFGQ-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN6069SFGQ-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN6069SFGQ-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Additional Assembly/Test Site 24/Aug/2021.pdf
Datenblätter
DMN6069SFGQ.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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