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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysDMN62D0UDW-7
DMN62D0UDW-7 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

DMN62D0UDW-7 - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
DMN62D0UDW-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-DMN62D0UDW-7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
DMN62D0UDW.pdf
RoHS Status
vorrätig: 332300

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Anzahl

Spezifikation

DMN62D0UDW-7 Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - DMN62D0UDW-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - DMN62D0UDW-7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-363  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4.5V  
Leistung - max 320mW  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer DMN62  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated DMN62D0UDW-7.

Produkteigenschaften DMN62D0UDW-7 DMN62D0LFD-7 DMN62D1LFB-7B DMN62D0SFD-7
Artikelnummer DMN62D0UDW-7 DMN62D0LFD-7 DMN62D1LFB-7B DMN62D0SFD-7
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V 0.5 nC @ 4.5 V 0.9 nC @ 4.5 V 0.87 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4.5V 2Ohm @ 100mA, 4V 2Ohm @ 100mA, 4V 2Ohm @ 500mA, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V 31 pF @ 25 V 64 pF @ 25 V 30.2 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 3-UDFN 3-UFDFN 3-UDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60 V 60 V 60 V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - - -
Supplier Device-Gehäuse SOT-363 X1-DFN1212-3 X1-DFN1006-3 X1-DFN1212-3
Serie - - - -
Leistung - max 320mW - - -
Grundproduktnummer DMN62 DMN62 DMN62 DMN62
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 350mA 310mA (Ta) 320mA (Ta) 540mA (Ta)

DMN62D0UDW-7 Datenblatt PDF

Laden Sie DMN62D0UDW-7 PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für DMN62D0UDW-7 - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly REV 07/Sep/2021.pdf
Datenblätter
DMN62D0UDW.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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